SD1134

更新时间： 2024-11-02 09:31:23

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ASI		晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
1页	17K
描述
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

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SD1134 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	POST/STUD MOUNT, O-CRPM-F4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.25	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.75 A	集电极-发射极最大电压：	16 V
配置：	SINGLE	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	O-CRPM-F4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	ROUND
封装形式：	POST/STUD MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	5 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	FLAT	端子位置：	RADIAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SD1134 数据手册

SD1134

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION:

PACKAGE STYLE .280 4L STUD

The ASI SD1134 is Designed for

Class C UHF Communications

45°

FEATURES:

• P_G= 10 dB Typical at 470 MHz

• Omnigold™ Metallization System

MAXIMUM RATINGS

#8-32 UNC

0.75 A

I_C

MINIMUM

inches / mm

MAXIMUM

inches / mm

DIM

1.010 / 25.65

.220 / 5.59

.270 / 6.86

.003 / 0.08

.117 / 2.97

1.055 / 26.80

.230 /5.84

.285 / 7.24

.007 / 0.18

.137 / 3.48

36 V

V_CB

P_DISS

T_J

5.0 W @ T_C= 25 °C

-65 °C to +200 °C

-65 °C to +150 °C

35 °C/W

.572 / 14.53

.130 / 3.30

.245 / 6.22

.255 / 6.48

.640 / 16.26

T_STG

.175 / 4.45

.275 / 6.99

.217 / 5.51

.285 / 7.24

θ_JC

CHARACTERISTICS ^T_C= 25 ^O

SYMBOL

BV_CEO

TEST CONDITIONS

MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS

I_C= 25 mA

I_C= 5.0 mA

I_E= 1.0 mA

V_CB= 15 V

V_CE= 5.0 V

BV_CES

BV_EBO

I_CBO

4.0

1.0

---

I_C= 100 mA

P_IN= 0.2 W

h_FE

V_CB= 12 V

f = 1.0 MHz

f = 470 MHz

6.0

C_OB

2.0

POUT

V_CE= 12.0 V

P^G

A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.

REV 0

1/1

7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004

Specifications are subject to change without notice.

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SD1134 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
2N5944	MICROSEMI	功能相似	RF & MICROWAVE TRANSISTORS
ULBM2	ASI	功能相似	NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

与SD1134相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SD1134-05	NJSEMI	获取价格	Trans GP BJT NPN 16V 0.75A 4-Pin Case M-123
SD1134-05	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF PORTABLE/MOBILE APPLICATIONS
SD1135	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF & MICROWAVE TRANSISTORS UHF MOBILE APPLICATIONS
SD1135-03	STMICROELECTRONICS	获取价格	RF & MICROWAVE TRANSISTORS VHF PORTABLE/MOBILE APPLICATIONS
SD1136	STMICROELECTRONICS	获取价格	UHF POWER TRANSISTOR
SD1137	ETC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs
SD1137BD	ETC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs
SD1137CHP	ETC	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE D-MOS POWER FETs
SD-113-G-21A-N	SAMTEC	获取价格	IC Socket, DIP26, 26 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 0.1inch Row Spacing, Wire Wrap
SD-113-G-21B-N	SAMTEC	获取价格	IC Socket, DIP26, 26 Contact(s), 2.54mm Term Pitch, 0.1inch Row Spacing, Wire Wrap

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