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SBL840-BP

更新时间: 2024-11-23 21:02:47
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 局域网功效瞄准线二极管
页数 文件大小 规格书
3页 461K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 40V V(RRM), Silicon, TO-220AC, PLASTIC PACKAGE-2

SBL840-BP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AC
包装说明:PLASTIC PACKAGE-2针数:3
Reach Compliance Code:not_compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.41
其他特性:LOW POWER LOSS应用:EFFICIENCY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:TO-220ACJESD-30 代码:R-PSFM-T2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值正向电流:150 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最大输出电流:8 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:40 V表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

SBL840-BP 数据手册

 浏览型号SBL840-BP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SBL840-BP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ   ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
SBL820  
THRU  
Micro Commercial Components  
SBL860  
Features  
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
High Surge Capacity and High Efficiency  
Low Power Loss and Low Forward Voltage  
8 Amp  
Schottky Barrier  
Rectifier  
·
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0 and MSL Rating 1  
20 to 60 Volts  
Maximum Ratings  
·
Operating Temperature: -50 °C to +125°C  
Storage Temperature: -50°C to +125°C  
·
TO-220AC  
B
L
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Reccurrent  
Peak  
Maximum Maximum  
M
RMS  
Voltage  
DC  
Blocking  
Voltage  
C
D
Reverse  
Voltage  
20V  
30V  
40V  
A
K
PIN  
SBL820  
SBL830  
SBL840  
SBL850  
SBL860  
SBL820  
SBL830  
SBL840  
SBL850  
SBL860  
14V  
21V  
28V  
35V  
42V  
20V  
30V  
40V  
50V  
60V  
1
2
F
50V  
60V  
G
I
J
H
N
PIN 1  
PIN 2  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
CASE  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
8A  
TC = 100 °C  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
150 A  
8.3ms, half sine  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢆꢄꢅ  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
INCHES  
ꢃꢂꢄ  
MM  
Maximum Forward  
Voltage Drop Per  
ꢁꢂꢃ  
A
B
C
D
F
G
H
ꢃꢅꢆ  
ꢃꢂꢄ  
14.22  
9.65  
2.54  
5.84  
------  
12.70  
4.83  
ꢃꢅꢆ  
15.88  
10.67  
3.43  
6.86  
6.35  
ꢄꢇꢈꢉ  
.560  
.380  
.100  
.230  
------  
.625  
.420  
.135  
.270  
.250  
IFM = 8A  
Element  
TA = 25°C (Note 2)  
SBL820~840  
VF  
.55V  
.75V  
SBL850~860  
.500  
.190  
.580  
.210  
14.73  
5.33  
I
J
K
L
M
N
.020  
.012  
.139  
.140  
.045  
.080  
.045  
.025  
.161  
.190  
.055  
.115  
0.51  
0.30  
3.53  
3.56  
1.14  
2.03  
1.14  
0.64  
4.09  
4.83  
1.40  
2.92  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
IR  
0.5 mA TC = 25°C  
50mA TC = 125°C  
Notes:1.High Temperature Solder Exemption Applied, see EU Directive Annex 7.  
2.Pulse test: Pulse width 200 msec  
www.mccsemi.com  
Revision: 6  
2008/01/01  
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