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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AC |
| 包装说明： | R-PSFM-T2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.55 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS |
| 应用： | EFFICIENCY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.7 V |
| JEDEC-95代码： | TO-220AC | JESD-30 代码： | R-PSFM-T2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 200 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 8 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 50 V |
| 最大反向电流： | 500 µA | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SBL850(TUBE) | DIODES |
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暂无描述 |
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| SBL850{TUBE} | DIODES |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 50V V(RRM), Silicon |
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| SBL850-A | DIODES |
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暂无描述 |
|
| SBL850-B | MCC |
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Rectifier Diode, |
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| SBL850-BP | MCC |
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Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AC, PLASTIC |
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| SBL860 | BL Galaxy Electrical |
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SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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| SBL860 | SIRECTIFIER |
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肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，低压降肖特基势垒二极管Lo |
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| SBL860 | DIODES |
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8.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
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| SBL860 | MCC |
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8 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 60 Volts |
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| SBL860(TUBE) | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon, |
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