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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SBL850-B
SBL850-B PDF预览

SBL850-B

更新时间： 2024-11-23 13:13:15
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 381K
描述
Rectifier Diode,

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SBL850-B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.92JESD-609代码：e0
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

SBL850-B 数据手册

 浏览型号SBL850-B的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SBL850-B的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
SBL820  
THRU  
Micro Commercial Components  
SBL860  
Features  
·
·
·
·
High Surge Capacity  
High Efficiency  
8 Amp  
Schottky Barrier  
Rectifier  
Low Forward Voltage  
Low Power Loss  
•
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
20 to 60 Volts  
Maximum Ratings  
·
Operating Temperature: -50 °C to +125°C  
Storage Temperature: -50°C to +125°C  
·
TO-220AC  
B
L
MCC  
Catalog  
Number  
Device  
Marking  
Maximum  
Reccurrent  
Peak  
Maximum Maximum  
M
RMS  
Voltage  
DC  
Blocking  
Voltage  
C
D
Reverse  
Voltage  
20V  
30V  
40V  
A
K
E
F
PIN  
SBL820  
SBL830  
SBL840  
SBL850  
SBL860  
SBL820  
SBL830  
SBL840  
SBL850  
SBL860  
14V  
21V  
28V  
35V  
42V  
20V  
30V  
40V  
50V  
60V  
1
2
50V  
60V  
G
I
J
H
N
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
PIN 1  
PIN 2  
CASE  
Average Forward  
Current  
IF(AV)  
8A  
TC = 100 °C  
Peak Forward Surge  
Current  
IFSM  
150 A  
8.3ms, half sine  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢁꢆꢄꢅ  
ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ  
INCHES  
ꢃꢂꢄ  
MM  
Maximum Forward  
Voltage Drop Per  
ꢁꢂꢃ  
A
B
C
D
E
ꢃꢅꢆ  
ꢃꢂꢄ  
14.22  
9.65  
2.54  
5.84  
9.65  
ꢃꢅꢆ  
15.88  
10.67  
3.43  
6.86  
10.67  
ꢄꢇꢈꢉ  
.560  
.380  
.100  
.230  
.380  
.625  
.420  
.135  
.270  
.420  
IFM = 8A  
Element  
TA = 25°C*  
SBL820~840  
VF  
.55V  
.75V  
SBL850~860  
F
G
------  
.500  
.250  
.580  
------  
12.70  
6.35  
14.73  
H
I
J
K
L
M
N
.190  
.020  
.012  
.139  
.140  
.045  
.210  
.045  
.025  
.161  
.190  
.055  
4.83  
0.51  
0.30  
3.53  
3.56  
1.14  
5.33  
1.14  
0.64  
4.09  
4.83  
1.40  
Maximum DC  
Reverse Current At  
Rated DC Blocking  
Voltage  
IR  
0.5 mA TC = 25°C  
50mA TC = 125°C  
.080  
.115  
2.03  
2.92  
*Pulse test: Pulse width 200 msec  
www.mccsemi.com  
Revision: 5  
2006/05/29  
1 of 3  
123

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与SBL850-B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SBL850-BP MCC

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AC, PLASTIC
SBL860 BL Galaxy Electrical

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SBL860 SIRECTIFIER

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 		肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，低压降肖特基势垒二极管Lo
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon
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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon
SBL860-B MCC

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 		Rectifier Diode,
SBL860-BP MCC

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