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SBL860

更新时间： 2024-11-22 22:43:27
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管
页数 文件大小 规格书
2页 69K
描述
8.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SBL860 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AC
包装说明：R-PSFM-T2针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.53
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用：EFFICIENCY外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.7 V
JEDEC-95代码：TO-220ACJESD-30 代码：R-PSFM-T2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：200 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
最大反向电流：500 µA子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

SBL860 数据手册

 浏览型号SBL860的Datasheet PDF文件第2页 
SBL830 - SBL860  
8.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring for Transient Protection  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Current Capability, Low VF  
High Surge Capability  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Applications  
TO-220AC  
L
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.22  
9.65  
2.54  
5.84  
¾
Max  
15.88  
10.67  
3.43  
B
M
C
D
E
K
A
6.86  
·
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
6.35  
Pin 1  
Pin 2  
G
J
12.70  
0.51  
14.73  
1.14  
Mechanical Data  
·
G
K
L
3.53Æ 4.09Æ  
Case: Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads, Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: See Diagram  
Weight: 2.3 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
J
N
3.56  
1.14  
0.30  
2.03  
4.83  
4.83  
1.40  
0.64  
2.92  
5.33  
·
M
N
P
R
P
·
·
·
·
Pin 1  
Pin 2  
Case  
R
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SBL  
830  
SBL  
835  
SBL  
840  
SBL  
845  
SBL  
850  
SBL  
860  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
21  
35  
40  
28  
45  
50  
35  
60  
42  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
24.5  
31.5  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
8
@ TC = 95°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
200  
A
VFM  
IRM  
Forward Voltage  
@ IF = 8A, TC = 25°C  
0.55  
0.70  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@TC 25°C  
=
0.5  
50  
mA  
@ TC = 100°C  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
700  
6.9  
pF  
°C/W  
°C  
RqJC  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Notes:  
1. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.  
2. Measured at 1.0MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.  
DS23044 Rev. C-2  
1 of 2  
SBL830-SBL860  
12

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