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Datasheet > 二极管 > 整流二极管> SBL860(TUBE)
SBL860(TUBE) PDF预览

SBL860(TUBE)

更新时间： 2024-11-26 13:13:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管
页数 文件大小 规格书
3页 67K
描述
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon,

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SBL860(TUBE) 技术参数

生命周期：Active包装说明：R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.72
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.7 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T2JESD-609代码：e3
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-65 °C
最大输出电流：8 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：60 V
最大反向电流：500 µA表面贴装：NO
技术：SCHOTTKY端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

SBL860(TUBE) 数据手册

 浏览型号SBL860(TUBE)的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SBL860(TUBE)的Datasheet PDF文件第3页 
SPICE MODELS: SBL830 SBL835 SBL840 SBL845 SBL850 SBL860  
SBL830 - SBL860  
8.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
·
·
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring for Transient Protection  
Low Power Loss, High Efficiency  
High Current Capability, Low VF  
High Surge Capability  
TO-220AC  
Dim  
A
B
C
D
E
Min  
14.48  
10.00  
2.54  
5.90  
2.80  
12.70  
0.69  
3.54  
4.07  
1.15  
0.30  
2.04  
4.83  
Max  
15.75  
10.40  
3.43  
6.40  
3.93  
14.27  
0.93  
3.78  
4.82  
1.39  
0.50  
2.79  
5.33  
L
B
M
For Use in Low Voltage, High Frequency Inverters, Free  
Wheeling, and Polarity Protection Applications  
C
D
E
K
·
Lead Free Finish, RoHS Compliant (Note 3)  
A
Mechanical Data  
·
G
J
Pin 1  
Pin 2  
Case: TO-220AC  
·
Case Material: Molded Plastic. UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
K
L
G
J
N
·
·
·
Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020C  
Polarity: See Diagram  
M
N
P
R
Terminals: Finish – Bright Tin. Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
P
+
Pin 1 +  
Pin 2 -  
·
·
Marking: Type Number  
R
Case  
Weight: 2.3 grams (approx.)  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
SBL  
830  
SBL  
835  
SBL  
840  
SBL  
845  
SBL  
850  
SBL  
860  
Characteristic  
Symbol  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
30  
21  
35  
40  
28  
45  
50  
35  
60  
42  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
24.5  
31.5  
V
A
Average Rectified Output Current  
(Note 1)  
8
@ TC = 95°C  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
200  
A
VFM  
IRM  
Forward Voltage  
@ IF = 8A, TC = 25°C  
0.55  
0.70  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TC 25°C  
=
0.5  
50  
mA  
@ TC = 100°C  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
700  
6.9  
pF  
°C/W  
°C  
RqJC  
Typical Thermal Resistance Junction to Case (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
Notes:  
1. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.  
2. Measured at 1.0MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V DC.  
3. RoHS revision 13.2.2003. Glass and High Temperature Solder Exemptions Applied, see EU Directive Annex Notes 5 and 7.  
DS23044 Rev. 4 - 2  
1 of 3  
SBL830-SBL860  
www.diodes.com  
ã Diodes Incorporated  
123

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与SBL860(TUBE)相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SBL860{TUBE} DIODES

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon
SBL860-A DIODES

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 60V V(RRM), Silicon
SBL860-B MCC

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 		Rectifier Diode,
SBL860-BP MCC

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 		暂无描述
SBL870 BL Galaxy Electrical

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SBL870 DIODES

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 70V V(RRM), Silicon, TO-220AC, PLASTIC
SBL880 BL Galaxy Electrical

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SBL890 BL Galaxy Electrical

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 		SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
SBL8L40 VISHAY

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 		Schottky Barrier Rectifier
SBL8L40-45 VISHAY

获取价格

 		DIODE 8 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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