5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AC |
| 包装说明： | R-PSFM-T2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.26 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS |
| 应用： | EFFICIENCY | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 0.55 V |
| JEDEC-95代码： | TO-220AC | JESD-30 代码： | R-PSFM-T2 |
| JESD-609代码： | e3 | 最大非重复峰值正向电流： | 200 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 最大输出电流： | 8 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 35 V |
| 最大反向电流： | 500 µA | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SBL835(TUBE) | DIODES |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| SBL835{TUBE} | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 35V V(RRM), Silicon |
|
| SBL835-A | DIODES |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| SBL840 | DIODES |
获取价格 |
8.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
|
| SBL840 | SIRECTIFIER |
获取价格 |
肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，低压降肖特基势垒二极管Lo |
|
| SBL840 | MCC |
获取价格 |
8 Amp Schottky Barrier Rectifier 20 to 60 Volts |
|
| SBL840 | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
|
| SBL840(TUBE) | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 40V V(RRM), Silicon, |
|
| SBL840{TUBE} | DIODES |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 40V V(RRM), Silicon |
|
| SBL840-B | MCC |
获取价格 |
暂无描述 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
