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SB40W03T

更新时间： 2024-02-17 00:40:17
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 79K
描述
30V, 4A Rectifier

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SB40W03T 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.54
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：GENERAL PURPOSE配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.55 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：2
相数：1端子数量：2
最大输出电流：4 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：30 V
最大反向电流：200 µA最大反向恢复时间：0.03 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLEBase Number Matches：1

SB40W03T 数据手册

 浏览型号SB40W03T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SB40W03T的Datasheet PDF文件第3页 
Ordering number:EN4567  
SB40W03T  
Schottky Barrier Diode (Twin Type · Cathode Common)  
30V, 4A Rectifier  
Applications  
Package Dimensions  
unit:mm  
· High frequency rectification (switching regulators,  
converters, choppers).  
1254A  
[SB40W03T]  
Features  
· Low forward voltage (V max=0.55V).  
F
· Fast reverse recovery time (trr max=30ns).  
· Low switching noise.  
1:Anode  
· Low leakage current and high reliability due to  
highly reliable planar structure.  
2:Cathode  
3:Anode  
4:Cathode  
SANYO:TP  
unit:mm  
1257A  
trr Test Circuit  
[SB40W03T]  
1:Anode  
2:Cathode  
3:Anode  
4:Cathode  
SANYO:TP-FA  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C (Value per element)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Nonrepetitive Peak Reverse Surge Voltage  
Average Output Current  
V
30  
35  
4
V
V
RRM  
V
RSM  
I
A
50Hz, resistive load, Tc=111˚C  
50Hz, resistive load, Tc=92˚C, Total rating  
50Hz sine wave, 1 cycle  
O
I
8
A
O
Surge Forward Current  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
I
40  
A
FSM  
Tj  
–55 to +125  
–55 to +125  
˚C  
˚C  
Tstg  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C (Value per element)  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditons  
Unit  
min  
30  
max  
Reverse Voltage  
Forward Voltage  
V
R
V (1)  
F
I
=1mA  
V
V
R
I =4A  
F
0.55  
V (2)  
F
I =1A  
F
0.45  
200  
V
Reverse Current  
I
V
=15V  
µA  
pF  
ns  
R
R
R
Interterminal Capacitance  
C
V
=10V, f=1MHz  
160  
Reverse Recovery Time  
trr  
I =I =300mA , See specified Test Circuit.  
30  
F
R
Thermal Resistance (Junction-Ambient)  
Thermal Resistance (Junction-Case)  
Rth(j-a)  
Rth(j-c)  
90  
5
˚C/W  
˚C/W  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquaters  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
41098HA (KT)/42894YH (KOTO) BX-0024 No.4567-1/3  
123

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