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SB441Q-40

更新时间： 2024-09-10 01:24:03

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Schottky Barrier Diode

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SB441Q-40 数据手册

RoHS

SB441Q-40

Schottky Barrier Diode

Features

1. High reliability

2. Low reverse current and low forward voltage

Applications

Low current rectification and high speed switching

Construction

Silicon epitaxial planar

Absolute Maximum Ratings

T_a=25℃

Parameter

Peak reverse voltage

Symbol

V_RM

V_R

Limits

Unit

DC reverse voltage

Mean rectifying current

I_O

0.1

Peak forward surge current

Junction temperature

Storage temperature

I_FSM

125

℃

T_stg

-40～+125

Electrical Characteristics

T_a=25℃

Parameter

Forward voltage

Symbol

Conditions

Min

Type

0.28

0.45

9.0

Max

0.34

0.55

100

Unit

V_F1

V_F2

I_R

I_F=10mA

Forward voltage

I_F=100mA

Reverse current

V_R=40V

μA

Capacitance between terminals

C_T

V_R=10V, f=1MHz

6.0

WEJ ELECTRONIC CO.,LTD

Http:// www.wej.cn

E-mail:wej@yongerjia.com

WEJ ELECTRONIC CO.

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