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SB200-09R

更新时间： 2024-09-17 22:22:23
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 二极管局域网
页数 文件大小 规格书
3页 82K
描述
90V, 20A Rectifier

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SB200-09R 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-3PML
包装说明：R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
应用：POWER外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.85 V
JESD-30 代码：R-PSFM-T3最大非重复峰值正向电流：120 A
元件数量：2相数：1
端子数量：3最大输出电流：20 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：90 V最大反向电流：800 µA
最大反向恢复时间：0.055 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
Base Number Matches：1

SB200-09R 数据手册

 浏览型号SB200-09R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号SB200-09R的Datasheet PDF文件第3页 
Ordering number :EN2496  
SB200-09R  
Schottky Barrier Diode (Twin Type · Cathode Common)  
90V, 20A Rectifier  
Applications  
· High frequency rectification (switching regulators,  
converters, choppers).  
Package Dimensions  
unit:mm  
1180  
[SB200-09R]  
Features  
· Low forward voltage (V max=0.85V).  
F
· Fast reverse recovery time (trr max=55ns).  
· Low switching noise.  
· Low leakage current and high reliability due to  
highly reliable planar structure.  
· Micaless package facilitating easy mounting.  
e  
SANYO:TO-3PML  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Nonrepetitive Peak Reverse Surge Voltage  
Average Output Current  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
–90  
–95  
20  
RRM  
V
V
RSM  
I
50Hz, resistive load, Tc=73˚C  
50Hz sine wave, 1 cycle  
A
O
Surge Forward Current  
I
120  
A
FSM  
Junction Temperature  
T
j
Tstg  
–55 to +125  
–55 to +125  
˚C  
˚C  
Storage Temperature  
Electrical Characteristics  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
min  
–90  
max  
Reverse Voltage  
V
R
V
F
V
V
I
=–4mA, Tj=25˚C*  
R
Forward Voltage  
0.85  
I =8A, Tj=25˚C*  
F
Reverse Current  
I
V
=–45V, Tj=25˚C*  
–0.8  
55  
2
mA  
ns  
R
R
Reverse Recovery Time  
Thermal Resistance  
trr  
I =2A, Tj=25˚C*, –dI /dt=10A/µs  
F F  
Junction-Case:Smoothed DC  
Rthj-c  
˚C/W  
Note)*:Value per element  
Electrical Connection  
A:Anode  
C:Cathode  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
33098HA (KT)/D227AT, TS No.2496-1/3  
123

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