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SB200AN

更新时间: 2024-09-18 19:43:39
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 114K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 100V V(DRM), 1 Element, TO-59, TO-59, 3 PIN

SB200AN 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-59
包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-D3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.19
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:20 mA
JEDEC-95代码:TO-59JESD-30 代码:O-MUPM-D3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
断态重复峰值电压:100 V表面贴装:NO
端子形式:SOLDER LUG端子位置:UPPER
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

SB200AN 数据手册

  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SB200N MICROSEMI

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