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SB20100LCT PDF预览

SB20100LCT

更新时间： 2024-01-02 20:59:02
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2页 85K
描述
DUAL LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER

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SB20100LCT 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-220AB包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, ITO-220AB, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.12Is Samacsys：N
其他特性：LOW POWER LOSS应用：EFFICIENCY
外壳连接：ISOLATED配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：10 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED最大重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

SB20100LCT 数据手册

 浏览型号SB20100LCT的Datasheet PDF文件第2页 
SB20100LCT  
DUAL LOW VF SCHOTTKY RECTIFIER  
20 Amperes  
VOLTAGE  
100 Volts  
CURRENT  
FEATURES  
• Low forward voltage drop, low power losses  
• High efficiency operation  
• In compliance with EU RoHS 2002/95/EC directives  
MECHANICAL DATA  
Case : TO-220AB, Plastic  
Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026  
Weight: 0.0655 ounces, 1.859 grams.  
.058(1.47)  
.042(1.07)  
MAXIMUM RATINGS(TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VALUE  
100  
UNIT  
V
Maximum repetitive peak reverse voltage  
VRRM  
per device  
Maximum average forward rectified current (Fig.3)  
per diode  
20  
10  
I
F(AV)  
FSM  
A
A
Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave  
per diode  
I
200  
2.5  
superimposed on rated load per diode  
Typical thermal resistance  
Operating junction  
R
Θ
JC  
oC/W  
oC  
TJ  
-55 to + 150  
-55 to + 150  
Storage temperature range  
T
STG  
oC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA=25oC unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
V
TEST CONDITIONS  
=1.0mA  
MIN.  
103  
TYP.  
120  
MAX.  
-
UNIT  
Breakdown voltage per diode  
BR  
I
R
V
V
I
I
F
F
=5A  
=10A  
-
-
0.55  
-
0.60  
0.75  
TJ  
=25oC  
Instantaneous forward voltage per  
diode (1)  
V
F
I
I
F
F
=5A  
=10A  
-
-
0.52  
0.62  
-
TJ  
=125oC  
V
0.7  
V
V
R
=70V  
-
12  
40  
μA  
Reverse current per diode (2)  
I
R
T
TJ  
J
=25oC  
-
-
-
-
500  
35  
μA  
mA  
R=100V  
=125oC  
Note.1 Pulse test : 380μs pulse width, 1% duty cycle  
2. Pulse test : Pulse width < 2.5ms  
PAN JIT RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE  
June.9.2010-REV.01  
PAGE . 1  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SB20100LFCT ASEMI

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