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SB1100

更新时间： 2024-02-23 00:10:13
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 整流二极管高压
页数 文件大小 规格书
2页 66K
描述
1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

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SB1100 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：DO-41, 2 PIN
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.47
其他特性：FREE WHEELING DIODE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-41
JESD-30 代码：O-PALF-W2元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-65 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM最大功率耗散：1.25 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：100 V
表面贴装：NO技术：SCHOTTKY
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
Base Number Matches：1

SB1100 数据手册

 浏览型号SB1100的Datasheet PDF文件第2页 
SB170 - SB1100  
1.0A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER  
Features  
·
·
Schottky Barrier Chip  
Guard Ring Die Construction for  
Transient Protection  
·
·
·
·
Ideally Suited for Automatic Assembly  
Low Power Loss, High Efficiency  
Surge Overload Rating to 25A Peak  
For Use in Low Voltage, High Frequency  
Inverters, Free Wheeling, and Polarity  
Protection Application  
A
B
A
C
·
·
High Temperature Soldering:  
D
260°C/10 Second at Terminal  
Plastic Material: UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
Mechanical Data  
DO-41  
Dim  
A
Min  
25.4  
4.1  
Max  
¾
·
·
Case: Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads -  
Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
B
5.2  
·
·
·
·
Polarity: Cathode Band  
Weight: 0.3 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
C
0.71  
2.0  
0.86  
2.7  
D
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
Characteristic  
Symbol  
SB170  
70  
SB180  
80  
SB190  
90  
SB1100  
100  
Unit  
VRRM  
VRWM  
VR  
Peak Repetitive Reverse Voltage  
Working Peak Reverse Voltage  
DC Blocking Voltage  
V
VR(RMS)  
IO  
RMS Reverse Voltage  
49  
56  
63  
70  
V
A
Average Rectified Output Current  
@ TT = 85°C  
1.0  
25  
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms  
single half sine-wave superimposed on rated load  
(JEDEC Method)  
IFSM  
A
VFM  
IRM  
Forward Voltage @ IF = 1.0A  
@ TA  
=
25°C  
25°C  
0.80  
V
Peak Reverse Current  
at Rated DC Blocking Voltage  
@ TA  
@ TA = 100°C  
=
0.5  
10  
mA  
Cj  
Typical Junction Capacitance (Note 2)  
80  
15  
50  
pF  
K/W  
K/W  
°C  
RqJL  
Typical Thermal Resistance Junction to Lead  
Typical Thermal Resistance Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
RqJA  
Tj, TSTG  
-65 to +125  
Notes:  
1. Valid provided that leads are kept at ambient temperature at a distance of 9.5mm from the case.  
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.  
DS30116 Rev. B-1  
1 of 2  
SB170 - SB1100  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SB1100.TR FAIRCHILD

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