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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOIC | 包装说明： | SOP, SOP20,.4 |
| 针数： | 20 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.68 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G20 | JESD-609代码： | e4 |
| 长度： | 12.8 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 20 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | SOP20,.4 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.65 mm |
| 子类别： | ATM/SONET/SDH ICs | 最大压摆率： | 13.5 mA |
| 标称供电电压： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 电信集成电路类型： | TELECOM CIRCUIT | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | NICKEL PALLADIUM GOLD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 7.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SA5217D/01,112 | NXP |
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SA5217D |
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| SA5217D/01,118 | NXP |
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SA5217D |
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| SA5217D-T | NXP |
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IC SPECIALTY TELECOM CIRCUIT, PDSO20, Telecom IC:Other |
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| SA5219 | NXP |
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Wideband variable gain amplifier |
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| SA5219D | NXP |
获取价格 |
Wideband variable gain amplifier |
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| SA5219D,623 | NXP |
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RF/Microwave Amplifier, 0 MHz - 700 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
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| SA5219D-T | PHILIPS |
获取价格 |
RF/Microwave Amplifier, BIPolar, |
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| SA5219N | NXP |
获取价格 |
Wideband variable gain amplifier |
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| SA5222 | NXP |
获取价格 |
Low-power FDDI transimpedance amplifier |
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| SA5222D | NXP |
获取价格 |
Low-power FDDI transimpedance amplifier |
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