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SA5230FE

更新时间: 2024-11-04 22:35:31
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 运算放大器放大器电路
页数 文件大小 规格书
17页 193K
描述
Low voltage operational amplifier

SA5230FE 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.33.00.01风险等级:5.73
放大器类型:OPERATIONAL AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB):0.15 µA
最小共模抑制比:85 dB标称共模抑制比:95 dB
最大输入失调电压:3000 µVJESD-30 代码:R-GDIP-T8
长度:9.955 mm负供电电压上限:-9 V
标称负供电电压 (Vsup):-7.5 V功能数量:1
端子数量:8最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm标称压摆率:0.09 V/us
子类别:Operational Amplifier供电电压上限:9 V
标称供电电压 (Vsup):7.5 V表面贴装:NO
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
标称均一增益带宽:250 kHz最小电压增益:60000
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

SA5230FE 数据手册

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INTEGRATED CIRCUITS  
NE/SA5230  
Low voltage operational amplifier  
Product specification  
1994 Aug 31  
Philips  
Semiconductors  

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