5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.84 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G20 |
| 长度： | 12.8 mm | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 20 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 2.65 mm |
| 最大压摆率： | 13.5 mA | 标称供电电压： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 电信集成电路类型： | TELECOM CIRCUIT |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 7.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SA5219 | NXP |
获取价格 |
Wideband variable gain amplifier |
|
| SA5219D | NXP |
获取价格 |
Wideband variable gain amplifier |
|
| SA5219D,623 | NXP |
获取价格 |
RF/Microwave Amplifier, 0 MHz - 700 MHz RF/MICROWAVE WIDE BAND LOW POWER AMPLIFIER |
|
| SA5219D-T | PHILIPS |
获取价格 |
RF/Microwave Amplifier, BIPolar, |
|
| SA5219N | NXP |
获取价格 |
Wideband variable gain amplifier |
|
| SA5222 | NXP |
获取价格 |
Low-power FDDI transimpedance amplifier |
|
| SA5222D | NXP |
获取价格 |
Low-power FDDI transimpedance amplifier |
|
| SA5222D-T | NXP |
获取价格 |
IC SPECIALTY TELECOM CIRCUIT, PDSO8, 3.90 MM, PLASTIC, MS-012AA, SOT-96-1, SOP-8, Telecom |
|
| SA5223 | NXP |
获取价格 |
Wide dynamic range AGC transimpedance amplifier 150MHz |
|
| SA5223D | NXP |
获取价格 |
Wide dynamic range AGC transimpedance amplifier 150MHz |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
