是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | O-XALF-W2 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.64 | 外壳连接: | ISOLATED |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | ZENER DIODE | JESD-30 代码: | O-XALF-W2 |
JESD-609代码: | e0 | 膝阻抗最大值: | 1000 Ω |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
最高工作温度: | 175 °C | 最低工作温度: | -65 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | LONG FORM | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性: | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散: | 0.4 W |
认证状态: | Not Qualified | 标称参考电压: | 33 V |
最大反向电流: | 5 µA | 表面贴装: | NO |
技术: | ZENER | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max: | 30.36 mV/ °C |
最大电压容差: | 5% | 工作测试电流: | 3.8 mA |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
S1N973BD7E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, | |
S1NB05 | DEC |
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1 AMP MINIATURE BRIDGE RECTIFIERS | |
S1NB05-S1NB100 | TYSEMI |
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Glass passivated chip junctions | |
S1NB10 | DEC |
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1 AMP MINIATURE BRIDGE RECTIFIERS | |
S1NB100 | DEC |
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1 AMP MINIATURE BRIDGE RECTIFIERS | |
S1NB20 | DEC |
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1 AMP MINIATURE BRIDGE RECTIFIERS | |
S1NB20 | SHINDENGEN |
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General Purpose Rectifiers(200V 1A) | |
S1NB40 | DEC |
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1 AMP MINIATURE BRIDGE RECTIFIERS | |
S1NB60 | DEC |
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1 AMP MINIATURE BRIDGE RECTIFIERS | |
S1NB60 | SHINDENGEN |
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General Purpose Rectifiers(600V 1A) |