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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G4 |
| 针数： | 4 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.41 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.05 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | JESD-609代码： | e0 |
| 湿度敏感等级： | 2 | 最大非重复峰值正向电流： | 30 A |
| 元件数量： | 4 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 1 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 600 V | 子类别： | Bridge Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| DF02M | COMCHIP |
功能相似  |
Single-Phase Bridge Rectifiers |
|
| DF02M | FUJI |
功能相似 |
1 AMP GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S1NB80 | SHINDENGEN |
获取价格 |
General Purpose Rectifiers(800V 1A) |
|
| S1NB80 | DEC |
获取价格 |
1 AMP MINIATURE BRIDGE RECTIFIERS |
|
| S1NK60Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 13W - 0.25A - SO-8 Zener-Pro |
|
| S-1P1-G | SAMTEC |
获取价格 |
PCB Terminal |
|
| S-1P1-T | SAMTEC |
获取价格 |
PCB Terminal |
|
| S1P2655A01 | SAMSUNG |
获取价格 |
LINEAR INTEGRATED CIRCUIT |
|
| S1P2655A01-D0B0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, DIP-16 |
|
| S1P2655A02 | SAMSUNG |
获取价格 |
LINEAR INTEGRATED CIRCUIT |
|
| S1P2655A03 | SAMSUNG |
获取价格 |
LINEAR INTEGRATED CIRCUIT |
|
| S1P2655A03-S0B0 | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, SOP-16 |
|
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