Datasheet > S1NB80

S1NB80

更新时间： 2024-09-28 03:34:43

品牌	Logo	应用领域
新电元 - SHINDENGEN		二极管光电二极管 IOT
页数	文件大小	规格书
5页	136K
描述
General Purpose Rectifiers(800V 1A)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

S1NB80 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.43	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.05 V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	2
最大非重复峰值正向电流：	30 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	800 V
子类别：	Bridge Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

S1NB80 数据手册

SHINDENGEN

General Purpose Rectifiers

SMT Bridges

OUTLINE DIMENSIONS

Case : 1N

S1NB80

Unit : mm

800V 1A

FEATURES

●Small Dual In-Line(:DIL) Package

●5 mm pitch between terminals

●Applicable to Automatic Insertion

APPLICATION

●Switching power supply

●Home Appliances, Office Equipment

●Telecommuication, Factory Automation

RATINGS

●AbsoluteMaximum Ratings (IfnotspecifiedTl=25℃)

Symbol

Item

Storage Temperature

Conditions

Ratings Unit

-40～150 ℃

Tstg

VRM

Operating Junction Temperature

Maximum ReverseVoltage

AverageRectifiedForwardCurrent

PeakSurgeForwardCurrent

CurrentSquaredTime

150

800

℃

50Hzsinewave, R-load, Onglass-epoxysubstrate, Ta=25℃

50Hzsinewave, Non-repetitive1cyclepeakvalue, Tj=25℃

1ms≦t＜10msꢀTj=25℃

IFSM

I t

4.5

A²s

●ElectricalCharacteristics (IfnotspecifiedTl=25℃)

Item

Symbol

V_F

Conditions

I =0.5A, Pulsemeasurement, Ratingofperdiode

Ratings Unit

Max.1.05

Max.10

Max.15 ℃/W

Max.68

Forward Voltage

ReverseCurrent

Thermal Resistance

V_R=V_RM, Pulsemeasurement, Ratingofperdiode

μA

θjl junctiontolead

θja junctiontoambient

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与S1NB80相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
S1NK60Z	STMICROELECTRONICS	获取价格	N-CHANNEL 600V - 13W - 0.25A - SO-8 Zener-Pro
S-1P1-G	SAMTEC	获取价格	PCB Terminal
S-1P1-T	SAMTEC	获取价格	PCB Terminal
S1P2655A01	SAMSUNG	获取价格	LINEAR INTEGRATED CIRCUIT
S1P2655A01-D0B0	SAMSUNG	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, DIP-16
S1P2655A02	SAMSUNG	获取价格	LINEAR INTEGRATED CIRCUIT
S1P2655A03	SAMSUNG	获取价格	LINEAR INTEGRATED CIRCUIT
S1P2655A03-S0B0	SAMSUNG	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, SOP-16
S1P2655A04	SAMSUNG	获取价格	LINEAR INTEGRATED CIRCUIT
S1P2655A04-D0B0	SAMSUNG	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 7-Element, NPN, Silicon, DIP-16