5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-XALF-W2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.62 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 7.5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 20 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S1N756AD7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
|
| S1N757AD7 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 9.1V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
|
| S1N758AD7 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 10V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
|
| S1N759AD7 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
|
| S1N759AD7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
|
| S1N962BD7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 11V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
|
| S1N963BD7 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
|
| S1N963BD7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 12V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
|
| S1N964BD7 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 13V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
|
| S1N965BD7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 15V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
