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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.64 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | ZENER DIODE |
| JESD-30 代码： | O-XALF-W2 | JESD-609代码： | e0 |
| 膝阻抗最大值： | 750 Ω | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -65 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性： | UNIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散： | 0.4 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称参考电压： | 18 V | 最大反向电流： | 5 µA |
| 表面贴装： | NO | 技术： | ZENER |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 电压温度Coeff-Max： | 15.3 mV/ °C | 最大电压容差： | 5% |
| 工作测试电流： | 7 mA | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S1N967BD7E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 18V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
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| S1N968BD7 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 20V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
|
| S1N968BD7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 20V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
|
| S1N969BD7 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 22V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
|
| S1N971BD7E3 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 27V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
|
| S1N972BD7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
|
| S1N973BD7 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
|
| S1N973BD7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
|
| S1NB05 | DEC |
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1 AMP MINIATURE BRIDGE RECTIFIERS |
|
| S1NB05-S1NB100 | TYSEMI |
获取价格 |
Glass passivated chip junctions |
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