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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-XALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.50 |
| 风险等级： | 5.66 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | ZENER DIODE | JESD-30 代码： | O-XALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 膝阻抗最大值： | 750 Ω |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 标称参考电压： | 20 V |
| 最大反向电流： | 5 µA | 表面贴装： | NO |
| 技术： | ZENER | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 电压温度Coeff-Max： | 17.2 mV/ °C |
| 最大电压容差： | 5% | 工作测试电流： | 6.2 mA |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S1N968BD7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 20V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
|
| S1N969BD7 | MICROSEMI |
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Zener Diode, 22V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
|
| S1N971BD7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 27V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
|
| S1N972BD7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 30V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
|
| S1N973BD7 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional |
|
| S1N973BD7E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Zener Diode, 33V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, |
|
| S1NB05 | DEC |
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1 AMP MINIATURE BRIDGE RECTIFIERS |
|
| S1NB05-S1NB100 | TYSEMI |
获取价格 |
Glass passivated chip junctions |
|
| S1NB10 | DEC |
获取价格 |
1 AMP MINIATURE BRIDGE RECTIFIERS |
|
| S1NB100 | DEC |
获取价格 |
1 AMP MINIATURE BRIDGE RECTIFIERS |
|
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