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RQ1E070RP

更新时间： 2024-09-15 09:44:39

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罗姆 - ROHM		驱动
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6页	343K
描述
4V Drive Pch MOSFET

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RQ1E070RP 数据手册

4V Drive Pch MOSFET

RQ1E070RP

 Structure

 Dimensions (Unit : mm)

Silicon P-channel MOSFET

TSMT8

(8) (7) (6) (5)

Features

1) Low On-resistance.

2) High power package.

3) 4V drive.

(1) (2) (3) (4)

Abbreviated symbol :UE

 Application

Switching

 Inner circuit

 Packaging specifications

(8)

(7)

(6)

(5)

Package

Taping

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

3000

○

(1) Source

(2) Source

(3) Source

(4) Gate

RQ1E070RP

∗2

∗1

(5) Drain

(6) Drain

(7) Drain

(8) Drain

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

(1)

(2)

(3)

(4)

 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)

Parameter Symbol

Drain-source voltage

Limits

30

20

Unit

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-source voltage

Continuous

Pulsed

7

Drain current

I_DP

28

Continuous

Pulsed

I_S

1

Source current

(Body Diode)

I_SP

28

Power dissipation

P_D

1.5

C

Channel temperature

Tch

Tstg

150

Range of storage temperature

*1 Pw10s, Duty cycle1%

55 to +150

*2 Mounted on a ceramic board.

 Thermal resistance

Parameter

Symbol

Rth (ch-a)^*

Limits

83.3

Unit

Channel to Ambient

*Mounted on a ceramic board.

C / W

www.rohm.com

2010.07 - Rev.A

1/5

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