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RQ3E080BN

更新时间： 2024-11-07 11:08:19

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罗姆 - ROHM		/
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13页	1537K
描述
RQ3E080BN是大功率封装（HSMT8）的中功率MOSFET。

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RQ3E080BN 数据手册

RQ3E080BN

ꢀꢀNch 30V 15A Power MOSFET

Datasheet

ꢀꢀ

llOutline

ꢀ

V_DSS

30V

15.2mΩ

±15A

R_DS(on)(Max.)

HSMT8

I_D

P_D

14W

ꢀ

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

llInner circuit

llFeatures

1) Low on - resistance

2) High Power Package (HSMT8)

3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

4) Halogen Free

llPackaging specifications

Embossed

Tape

Packing

Reel size (mm)

330

llApplication

Tape width (mm)

Quantity (pcs)

Taping code

Marking

Type

Switching

3000

E080BN

llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)

Parameter

Drain - Source voltage

Symbol

Value

Unit

V_DSS

±15

T_c= 25°C

T_a= 25°C

I_D

Continuous drain current

I_D

±8

I_DP

Pulsed drain current

±32

V_GSS

Gate - Source voltage

±20

I_AS

Avalanche current, single pulse

Avalanche energy, single pulse

8.0

E_AS

4.6

℃

P_D

Power dissipation

P_D

2.0

T_j

Junction temperature

150

T_stg

Operating junction and storage temperature range

-55 to +150

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

www.rohm.com

ꢀ ꢀ

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20190527 - Rev.003

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