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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, HSMT8, 8 PIN | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 16 weeks |
| 风险等级： | 1.66 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0118 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F5 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 5 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 48 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RQ3E130BN | ROHM |
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RQ3E130BN是大功率封装（HSMT8）的MOSFET。 |
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| RQ3E150BN | ROHM |
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RQ3E150BN是大功率封装（HSMT8）的中功率MOSFET。 |
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| RQ3E150GN | ROHM |
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场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率 |
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| RQ3E160AD | ROHM |
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RQ3E160AD是适用于开关用途的小型表面安装封装的中功率MOSFET。 |
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| RQ3E180AJ | ROHM |
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RQ3E180AJ是低导通电阻、小型表面安装封装的MOSFET。 |
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| RQ3E180BN | ROHM |
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RQ3E180BN是大功率封装（HSMT8）的低导通电阻MOSFET，适合开关用途。 |
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| RQ3E180GN | ROHM |
获取价格 |
场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率 |
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| RQ3G110AT | ROHM |
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RQ3G110AT是适合开关用途的低导通电阻MOSFET。 |
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| RQ3G270BKFRA | ROHM |
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RQ3G270BKFRA is a power MOSFET for ADAS/Info./Lighting/Body. This is a high-reliability pr |
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| RQ3L050GNTB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.086ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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