型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RQ3E120BN | ROHM |
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大功率封装(HSMT8)的RQ3E120BN具有低导通电阻,适用于开关用途。 | |
RQ3E120GN | ROHM |
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场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率 | |
RQ3E120GNTB | ROHM |
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Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0118ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
RQ3E130BN | ROHM |
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RQ3E130BN是大功率封装(HSMT8)的MOSFET。 | |
RQ3E150BN | ROHM |
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RQ3E150BN是大功率封装(HSMT8)的中功率MOSFET。 | |
RQ3E150GN | ROHM |
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场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率 | |
RQ3E160AD | ROHM |
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RQ3E160AD是适用于开关用途的小型表面安装封装的中功率MOSFET。 | |
RQ3E180AJ | ROHM |
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RQ3E180AJ是低导通电阻、小型表面安装封装的MOSFET。 | |
RQ3E180BN | ROHM |
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RQ3E180BN是大功率封装(HSMT8)的低导通电阻MOSFET,适合开关用途。 | |
RQ3E180GN | ROHM |
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场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”,为用户提供应用广泛的功率 |