Datasheet > RQ3E120BN

RQ3E120BN

更新时间： 2024-09-17 11:13:39

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关
页数	文件大小	规格书
13页	1563K
描述
大功率封装（HSMT8）的RQ3E120BN具有低导通电阻，适用于开关用途。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RQ3E120BN 数据手册

RQ3E120BN

ꢀꢀNch 30V 21A Power MOSFET

Datasheet

ꢀꢀ

llOutline

ꢀ

V_DSS

30V

9.3mΩ

±21A

16W

R_DS(on)(Max.)

HSMT8

I_D

P_D

ꢀ

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

llInner circuit

llFeatures

1) Low on - resistance

2) High Power Package (HSMT8)

3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant

4) Halogen Free

5) 100% Rg and UIS tested

llPackaging specifications

Embossed

Tape

Packing

Reel size (mm)

330

llApplication

Tape width (mm)

Quantity (pcs)

Taping code

Marking

Type

Switching

3000

E120BN

llAbsolute maximum ratings (T = 25°C ,unless otherwise specified)

Parameter

Drain - Source voltage

Symbol

Value

Unit

V_DSS

±21

T_c= 25°C

T_a= 25°C

I_D

Continuous drain current

I_D

±12

I_DP

Pulsed drain current

±48

V_GSS

Gate - Source voltage

±20

I_AS

Avalanche current, single pulse

Avalanche energy, single pulse

E_AS

℃

P_D

Power dissipation

P_D

2.0

T_j

Junction temperature

150

T_stg

Operating junction and storage temperature range

-55 to +150

ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ ꢀ

www.rohm.com

ꢀ ꢀ

1/10

20190527 - Rev.003

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

与RQ3E120BN相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RQ3E120GN	ROHM	获取价格	场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率
RQ3E120GNTB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0118ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
RQ3E130BN	ROHM	获取价格	RQ3E130BN是大功率封装（HSMT8）的MOSFET。
RQ3E150BN	ROHM	获取价格	RQ3E150BN是大功率封装（HSMT8）的中功率MOSFET。
RQ3E150GN	ROHM	获取价格	场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率
RQ3E160AD	ROHM	获取价格	RQ3E160AD是适用于开关用途的小型表面安装封装的中功率MOSFET。
RQ3E180AJ	ROHM	获取价格	RQ3E180AJ是低导通电阻、小型表面安装封装的MOSFET。
RQ3E180BN	ROHM	获取价格	RQ3E180BN是大功率封装（HSMT8）的低导通电阻MOSFET，适合开关用途。
RQ3E180GN	ROHM	获取价格	场效应晶体管MOSFET。通过采用微细工艺的“超低导通电阻元件”，为用户提供应用广泛的功率
RQ3G110AT	ROHM	获取价格	RQ3G110AT是适合开关用途的低导通电阻MOSFET。