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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> RN2965FE
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RN2965FE

更新时间： 2024-11-08 22:43:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管PC
页数 文件大小 规格书
8页 559K
描述
Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)

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RN2965FE 技术参数

生命周期：End Of Life包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.5其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.37
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-F6JESD-609代码：e0
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

RN2965FE 数据手册

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RN2961FE~RN2966FE  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor Built-in Transistor)  
RN2961FE,RN2962FE,RN2963FE  
RN2964FE,RN2965FE,RN2966FE  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and  
Unit: mm  
Driver Circuit Applications  
•
•
Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (6-pin)  
package.  
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.  
Reducing the parts count enables the manufacture of ever more  
compact equipment and lowers assembly cost.  
•
Complementary to RN1961FE~RN1966FE  
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values  
C
Type No.  
R1 (kΩ)  
R2 (kΩ)  
RN2961FE  
RN2962FE  
RN2963FE  
RN2964FE  
RN2965FE  
RN2966FE  
4.7  
10  
4.7  
10  
22  
47  
47  
47  
R1  
B
22  
47  
JEDEC  
JEITA  
―
―
E
2.2  
4.7  
TOSHIBA  
2-2N1A  
Weight: 0.003 g (typ.)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 common)  
Equivalent Circuit  
(top view)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
6
5
4
Collector-base voltage  
V
V
−50  
−50  
V
V
CBO  
CEO  
RN2961FE~2966FE  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Q2  
Q1  
1
RN2961FE~2964FE  
RN2965FE, 2966FE  
−10  
V
V
EBO  
−5  
Collector current  
I
−100  
100  
mA  
mW  
°C  
C
2
3
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
(Note)  
C
T
RN2961FE~2966FE  
150  
j
T
stg  
−55~150  
°C  
Note: Total rating  
1
2004-07-01  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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