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RN2130MFV

更新时间： 2024-11-11 12:23:03

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东芝 - TOSHIBA		驱动器开关
页数	文件大小	规格书
5页	160K
描述
Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications

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RN2130MFV 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RN2130MFV 数据手册

RN2130MFV

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN2130MFV

Switching Applications

Unit : mm

Inverter Circuit Applications

Interface Circuit Applications

Driver Circuit Applications

1.2±0.05

With built-in bias resistors

0.8±0.05

Simplify circuit design

Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Complementary to RN1130MFV

Equivalent Circuit

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

VESM

JEDEC

―

JEITA

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

2-1L1A

TOSHIBA

Weight : 1.5 mg (typ.)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

−50

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

−10

Collector current

−100

150

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

(Note1)

150

stg

−55 to 150

Note1: Mounted on FR4 board (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mmt)

Note2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Land Pattern Example

Unit: mm

0.5

0.45

1.15

0.4

0.45

0.4

2010-05-19

12 3 4 5

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN2130MFV(TL3PAV)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
RN2130MFV(TL3SONY)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
RN2130MFV(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	Digital Transistors -50volts 100mA 3Pin 100Kohmsx100Kohms
RN2131MFV	TOSHIBA	获取价格	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver
RN2131MFV(TL3,T)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
RN2131MFV(TL3PAV)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
RN2131MFV,L3F(T	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
RN2132MFV	TOSHIBA	获取价格	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver
RN2132MFV(TL3,T)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
RN2132MFV(TL3PAV)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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