Datasheet > RN2130MFV

RN2130MFV

更新时间： 2024-02-12 11:51:28

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		驱动器开关
页数	文件大小	规格书
5页	160K
描述
Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RN2130MFV 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.74	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RN2130MFV 数据手册

RN2130MFV

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)

RN2130MFV

Switching Applications

Unit : mm

Inverter Circuit Applications

Interface Circuit Applications

Driver Circuit Applications

1.2±0.05

With built-in bias resistors

0.8±0.05

Simplify circuit design

Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Complementary to RN1130MFV

Equivalent Circuit

1.BASE

2.EMITTER

3.COLLECTOR

VESM

JEDEC

―

JEITA

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

2-1L1A

TOSHIBA

Weight : 1.5 mg (typ.)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

−50

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

−10

Collector current

−100

150

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

(Note1)

150

stg

−55 to 150

Note1: Mounted on FR4 board (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mmt)

Note2: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

Land Pattern Example

Unit: mm

0.5

0.45

1.15

0.4

0.45

0.4

2010-05-19

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与RN2130MFV相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN2130MFV(TL3PAV)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
RN2130MFV(TL3SONY)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
RN2130MFV(TPL3)	TOSHIBA	获取价格	Digital Transistors -50volts 100mA 3Pin 100Kohmsx100Kohms
RN2131MFV	TOSHIBA	获取价格	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver
RN2131MFV(TL3,T)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
RN2131MFV(TL3PAV)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
RN2131MFV,L3F(T	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
RN2132MFV	TOSHIBA	获取价格	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver
RN2132MFV(TL3,T)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor
RN2132MFV(TL3PAV)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

与RN2130MFV相关文章

SL74HC10N：高性能三输入与非门解析
2024-09-03

27
AIC1781A 电池充电控制器深度解析
2024-09-03

17
Pickering新高压舌簧继电器亮相汽车测试博览会
2024-08-26

58
采用MCU+MPU双处理器架构实现的创新应用设计探索
2024-08-23

64

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RN2130MFV

RN2130MFV 技术参数

RN2130MFV 数据手册

与RN2130MFV相关器件

与RN2130MFV相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RN2130MFV

RN2130MFV 技术参数

RN2130MFV 数据手册

与RN2130MFV相关器件

与RN2130MFV相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？