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RN2132MFV

更新时间： 2024-02-24 02:58:04
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 驱动器开关
页数 文件大小 规格书
6页 171K
描述
Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications

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RN2132MFV 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.73其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

RN2132MFV 数据手册

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RN2131MFV,RN2132MFV  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)  
RN2131MFV,RN2132MFV  
Unit : mm  
Switching Applications  
Inverter Circuit Applications  
Interface Circuit Applications  
Driver Circuit Applications  
1.2±0.05  
0.8±0.05  
z With built-in bias resistors  
1
2
z Simplify circuit design  
3
z Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
z Complementary to RN1131MFV, RN1132MFV  
Equivalent Circuit  
1.BASE  
VESM  
2.EMITTER  
3.COLLECTOR  
JEDEC  
―
―
JEITA  
2-1L1A  
TOSHIBA  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Weight : 1.5 mg (typ.)  
Characteristic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
−50  
−50  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
−5  
V
Collector current  
I
−100  
150  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P (Note1)  
C
T
150  
j
T
stg  
−55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly  
even if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute  
maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note1 : Mounted on FR4 board (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mmt)  
Land Pattern Example  
Unit : mm  
0.5  
0.45  
1.15  
0.4  
0.45  
0.4  
0.4  
1
2009-04-17  
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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