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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> RN1710,LF
RN1710,LF PDF预览

RN1710,LF

更新时间： 2024-01-31 00:17:57
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体开关小信号双极晶体管光电二极管驱动
页数 文件大小 规格书
5页 165K
描述
Small Signal Bipolar Transistor

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RN1710,LF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5针数：5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.5
Is Samacsys：N其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：120
JESD-30 代码：R-PDSO-F5元件数量：2
端子数量：5最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.1 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

RN1710,LF 数据手册

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RN1710,RN1711  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
RN1710,RN1711  
Unit: mm  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
And Driver Circuit Applications  
l Including two devices in USV (ultra super mini type with 5 leads)  
l With built-in bias resistors  
l Simplify circuit design  
l Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
l Complementary to RN2710~RN2711  
Equivalent Circuit  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
JEDEC  
―
―
Characterisstic  
Collector-base voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
EIAJ  
TOSHIBA  
Weight: 6.2mg  
2−2L1A  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
50  
50  
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
Equivalent Circuit  
(Top View)  
5
V
I
100  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
*: Total rating  
P *  
C
200  
T
150  
j
T
−55~150  
stg  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Circuit  
―
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
I
V
V
V
= 50V, I = 0  
―
―
―
―
100  
100  
700  
0.3  
―
nA  
nA  
―
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
―
= 5V, I = 0  
C
EBO  
DC current gain  
h
―
= 5V, I = 1mA  
120  
―
―
FE  
CE (sat)  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Translation frequency  
V
―
I
= 5mA, I = 0.25mA  
0.1  
250  
3
V
C
B
f
―
V
V
= 10V, I = 5mA  
―
MHz  
pF  
T
CE  
CB  
C
Collector output capacitance  
C
―
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
E
―
6
ob  
RN1710  
Input resistor  
3.29  
7
4.7  
10  
6.11  
13  
R1  
―
―
kΩ  
RN1711  
1
2001-06-07  
12345

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与RN1710,LF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1710JE TOSHIBA

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 		Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
RN1710JE(TE85L) TOSHIBA

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 		RN1710JE(TE85L)
RN1710JE(TPL3) TOSHIBA

获取价格

 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353VAR
RN1710TE85L TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
RN1710TE85R TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
RN1711 TOSHIBA

获取价格

 		Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications
RN1711(TE85L) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USV, 2-2L1A, 5 PIN,
RN1711(TE85R) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, USV, 2-2L1A, 5 PIN,
RN1711,LF TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor
RN1711JE TOSHIBA

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 		Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)

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