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RMW200N03TB

更新时间： 2024-10-02 20:00:43

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	490K
描述
Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, SOP-8

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RMW200N03TB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.61	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	20 A
最大漏极电流 (ID)：	20 A	最大漏源导通电阻：	0.0056 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F8
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	3 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RMW200N03TB 数据手册

Data Sheet

4.5V Drive Nch MOSFET

RMW200N03

 Structure

 Dimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel MOSFET

PSOP8

(8) (7) (6) (5)

Features

0~0.1

1) High Power package(PSOP8).

2) High-speed switching,Low On-resistance.

3) Low voltage drive(4.5V drive).

1pin mark

(1)

(2) (3) (4)

0.4

0.22

0.9

1.27

5.0

 Application

Switching

 Packaging specifications

 Inner circuit

Package

Taping

(8)

(7)

(6)

(5)

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

2500



RMW200N03

(1) Source

(2) Source

(3) Source

(4) Gate

(5) Drain

(6) Drain

(7) Drain

(8) Drain

∗2

∗1

 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)

Parameter

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

Unit

(1)

(2)

(3)

(4)

Drain-source voltage

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

Gate-source voltage

20

Continuous

20

Drain current

Pulsed

I_DP

I_S

80

2.5

Continuous

Pulsed

Source current

(Body Diode)

I_SP

Power dissipation

P_D

3.0

C

Channel temperature

Tch

Tstg

150

Range of storage temperature

*1 Pw10s, Duty cycle1%

55 to 150

*2 MOUNTED ON 40mm×40mm Cu BOARD

 Thermal resistance

Parameter

Symbol

Rth (ch-a)^*

Limits

41.7

Unit

Channel to Ambient

C / W

* MOUNTED ON 40mm×40mm Cu BOARD

www.rohm.com

2011.03 - Rev.A

1/6

12 3 4 5 6 7

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RMW200N03TB 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
TP86R203NL	TOSHIBA	功能相似	N-ch MOSFET, 30 V, 0.0062 Ω@10V, SOP-8, U-MOS

与RMW200N03TB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RMW20W180R0J30S1	VISHAY	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 20W, 180ohm, 5% +/-Tol, -80,140ppm/Cel,
RMW20W1K800J30S2	VISHAY	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 20W, 1800ohm, 5% +/-Tol, -80,140ppm/Cel,
RMW20W200R0J30S2	VISHAY	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 20W, 200ohm, 5% +/-Tol, -80,140ppm/Cel,
RMW20W2K000J30S1	VISHAY	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 20W, 2000ohm, 5% +/-Tol, -80,140ppm/Cel,
RMW20W2K400J15S1	VISHAY	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 20W, 2400ohm, 5% +/-Tol, -80,140ppm/Cel,
RMW20W2K700J30S2	VISHAY	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 20W, 2700ohm, 5% +/-Tol, -80,140ppm/Cel,
RMW20W470R0J15S1	VISHAY	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 20W, 470ohm, 5% +/-Tol, -80,140ppm/Cel,
RMW20W62R00J15S1	VISHAY	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 20W, 62ohm, 5% +/-Tol, -80,140ppm/Cel,
RMW20W91R00J15S1	VISHAY	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 20W, 91ohm, 5% +/-Tol, -80,140ppm/Cel,
RMW20W91R00J30S1	VISHAY	获取价格	Fixed Resistor, Wire Wound, 20W, 91ohm, 5% +/-Tol, -80,140ppm/Cel,

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