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RMWP38001

更新时间： 2024-10-02 20:02:43

品牌	Logo	应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
页数	文件大小	规格书
8页	161K
描述
Wide Band Medium Power Amplifier, 37000MHz Min, 40000MHz Max, 1 Func, GAAS, 3.40 X 1.40 MM, DIE

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RMWP38001 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIE OR CHIP	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.8	特性阻抗：	50 Ω
构造：	COMPONENT	增益：	18 dB
最大输入功率 (CW)：	8 dBm	功能数量：	1
最大工作频率：	40000 MHz	最小工作频率：	37000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-30 °C
封装等效代码：	DIE OR CHIP	电源：	4 V
射频/微波设备类型：	WIDE BAND MEDIUM POWER	子类别：	RF/Microwave Amplifiers
技术：	GAAS	Base Number Matches：	1

RMWP38001 数据手册

June 2004

RMWP38001

37–40 GHz Power Amplifier MMIC

General Description

Features

The RMWP38001 is a 4-stage GaAs MMIC amplifier

designed as a 37 to 40 GHz Power Amplifier for use in point

to point and point to multi-point radios, and various

communications applications. In conjunction with other

Fairchild Semiconductor amplifiers, multipliers and mixers

it forms part of a complete 38 GHz transmit/receive chipset.

The RMWP38001 utilizes our 0.25µm power PHEMT

process and is sufficiently versatile to serve in a variety of

power amplifier applications.

• 4mil substrate

• Small-signal gain 22dB (typ.)

• 1dB compressed Pout 22dBm (typ.)

• Chip size 3.4mm x 1.4mm

Device

Absolute Ratings

Symbol

Parameter

Positive DC Voltage (+4V Typical)

Simultaneous (Vd–Vg)

Ratings

Units

Vdg

483

Positive DC Current

dBm

°C

RF Input Power (from 50Ω source)

Operating Baseplate Temperature

Storage Temperature Range

Thermal Resistance (Channel to Backside)

-30 to +85

-55 to +125

°C

STG

°C/W

RMWP38001 Rev. C

12 3 4 5 6 7 8

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