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RM1200HE-66S

更新时间: 2024-11-18 09:47:03
品牌 Logo 应用领域
三菱 - MITSUBISHI 二极管开关高压高功率电源
页数 文件大小 规格书
4页 65K
描述
HIGH VOLTAGE DIODE MODULE HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

RM1200HE-66S 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:MODULE
包装说明:MODULE-4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.72
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:HIGH VOLTAGE HIGH POWER
外壳连接:ISOLATED配置:PARALLEL CONNECTED, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):3.77 VJESD-30 代码:R-XUFM-X4
最大非重复峰值正向电流:9600 A元件数量:2
相数:1端子数量:4
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1200 A封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:3300 V
最大反向电流:30000 µA最大反向恢复时间:1.4 µs
反向测试电压:3300 V子类别:Other Diodes
表面贴装:NO端子形式:UNSPECIFIED
端子位置:UPPERBase Number Matches:1

RM1200HE-66S 数据手册

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MITSUBISHI HIGH VOLTAGE DIODE MODULE  
RM1200HE-66S  
HIGH POWER SWITCHING USE  
INSULATED TYPE  
High Voltage Diode Module  
RM1200HE-66S  
IF ................................................................ 1200A  
VRRM ...................................................... 3300V  
Insulated Type  
1-element in a Pack  
AISiC Baseplate  
APPLICATION  
Traction drives, High Reliability Converters / Inverters, DC choppers  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
130 1.0  
4-M8 NUTS  
114 0.3  
20.5  
K
A
K
A
>PPS<  
4-φ6.5  
MOUNTING HOLES  
7
24  
(15)  
61.5 0.5  
K
K
39.5  
LABEL  
125.5  
A
A
CIRCUIT DIAGRAM  
High Voltage Diode Module  
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