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RM120N40DF

更新时间： 2024-11-22 18:09:47

品牌	Logo	应用领域
RECTRON		栅光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	2964K
描述
Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 120 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.0 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 28.3 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 75 W;Vgs(th) (typ) : 1.7 V;Input Capacitance (Ciss) : 1827 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : PDFN5X6

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RM120N40DF 数据手册

RM120N40DF

N-Channel Enhancement MOSFET

Feature

⚫ 40V,120A

R_{DS ON}_）<2.4mΩ＠V_GS=10V (TYP:2.0mΩ)

（

R_{DS ON}_）<3.6mΩ＠V_GS=4.5V (TYP:3.0mΩ)

（

⚫ Split Gate Trench Technology

⚫ Lead free product is acquired

⚫ Excellent R _DS

⚫ T_jmax=175℃

and Low Gate Charge

（

）

⚫

P/N suffix V means AEC-Q101 qualified, e.g:RM120N40DFV

Halogen-free

⚫

Application

⚫ PWM applications

⚫ Load Switch

PDFN5X6

⚫ Power management

Package Marking and Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

Quantity (PCS)

RM120N40DF

120N40

PDFN5X6

13 inch

5000

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

I_D

Value

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

120

Continuous Drain Current (T_a=25℃)

Continuous Drain Current (T_a=100℃)

Pulsed Drain Current ⁽¹⁾

I_D

I_DM

468

Single Pulsed Avalanche Energy ⁽²⁾

Power Dissipation

E_AS

P_D

144

Thermal Resistance from Junction to Case

Junction Temperature

R_θJC

T_J

℃/W

℃

175

Storage Temperature

T_STG

-55~ +175

2022-08/59

REV:O

12 3 4 5 6 7 8

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与RM120N40DF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RM120N40LD	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 120 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 2.6 mOhms;Total Gate Charge (n
RM120N40LDV	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 85 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.6 mOhms;Total Gate Charge (nQ
RM120N40T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 40 V;Id @ 25C (A) : 120 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.2 mOhms;Total Gate Charge (n
RM120N60T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 60 V;Id @ 25C (A) : 120 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.5 mOhms;Total Gate Charge (n
RM120N85AT2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 85 V;Id @ 25C (A) : 120 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 6.0 mOhms;Total Gate Charge (n
RM120N85T2	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 85 V;Id @ 25C (A) : 120 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 4.5 mOhms;Total Gate Charge (n
RM-121.8D	RECOM	获取价格	0.25 Watt SIP4 & DIP8 Single Output
RM-121.8DHP	RECOM	获取价格	0.25 Watt SIP4 & DIP8 Single Output
RM-121.8DP	RECOM	获取价格	0.25 Watt SIP4 & DIP8 Single Output
RM-121.8S	RECOM	获取价格	0.25 Watt SIP4 & DIP8 Single Output