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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | MODULE-4 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.80 | 风险等级： | 5.75 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 应用： | HIGH POWER |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PUFM-X4 | 最大非重复峰值正向电流： | 9600 A |
| 元件数量： | 2 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 最大输出电流： | 1200 A |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 3300 V | 最大反向电流： | 30000 µA |
| 最大反向恢复时间： | 1 µs | 反向测试电压： | 3300 V |
| 子类别： | Other Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RM1200DG-90F | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| RM1200E | MCC |
获取价格 |
500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts |
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| RM1200E_11 | MCC |
获取价格 |
500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts |
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| RM1200E-T | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, |
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| RM1200E-TP | MCC |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMAE, 2 PIN |
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| RM1200HE-66S | MITSUBISHI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE DIODE MODULE HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
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| RM-1205D | RECOM |
获取价格 |
0.25 Watt SIP4 & DIP8 Single Output |
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| RM-1205DHP | RECOM |
获取价格 |
0.25 Watt SIP4 & DIP8 Single Output |
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| RM-1205DP | RECOM |
获取价格 |
0.25 Watt SIP4 & DIP8 Single Output |
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| RM-1205S | RECOM |
获取价格 |
0.25 Watt SIP4 & DIP8 Single Output |
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