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RM1200DB-34S

更新时间: 2024-11-18 06:08:15
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三菱 - MITSUBISHI 二极管开关高压高功率电源
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4页 70K
描述
HIGH VOLTAGE DIODE MODULE HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE

RM1200DB-34S 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:MODULE
包装说明:MODULE-4针数:4
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.73
其他特性:HIGH RELIABILITY应用:HIGH POWER
外壳连接:ISOLATED配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:R-PUFM-X4最大非重复峰值正向电流:20800 A
元件数量:2相数:1
端子数量:4最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-40 °C最大输出电流:1200 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1700 V最大反向电流:28000 µA
最大反向恢复时间:0.85 µs反向测试电压:1700 V
子类别:Other Diodes表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
Base Number Matches:1

RM1200DB-34S 数据手册

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MITSUBISHI HIGH VOLTAGE DIODE MODULE  
RM1200DB-34S  
HIGH POWER SWITCHING USE  
INSULATED TYPE  
High Voltage Diode Module  
RM1200DB-34S  
IF ................................................................ 1200A  
VRRM ...................................................... 1700V  
Insulated Type  
2-element in a Pack  
Copper Baseplate  
APPLICATION  
Traction drives, High Reliability Converters / Inverters, DC choppers  
OUTLINE DRAWING & CIRCUIT DIAGRAM  
Dimensions in mm  
130 0.5  
57 0.25  
57 0.25  
29.5 0.5  
4-M8 NUTS  
4
(A1)  
2
(K2)  
4
3
2
1
>PET+PBT<  
3
(K1)  
1
(A2)  
CIRCUIT DIAGRAM  
6-φ7 MOUNTING HOLES  
55.2 0.3  
Screwing depth  
min. 16.5  
11.85 0.2  
High Voltage Diode Module  
May 2009  

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