生命周期: | Active | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | MODULE-4 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.73 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 应用: | HIGH POWER |
外壳连接: | ISOLATED | 配置: | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码: | R-PUFM-X4 | 最大非重复峰值正向电流: | 20800 A |
元件数量: | 2 | 相数: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 最大输出电流: | 1200 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 认证状态: | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压: | 1700 V | 最大反向电流: | 28000 µA |
最大反向恢复时间: | 0.85 µs | 反向测试电压: | 1700 V |
子类别: | Other Diodes | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
RM1200DB-66S | MITSUBISHI |
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HIGH VOLTAGE DIODE MODULE HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | |
RM1200DG-66S | MITSUBISHI |
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HIGH VOLTAGE DIODE MODULE HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | |
RM1200DG-90F | MITSUBISHI |
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HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | |
RM1200E | MCC |
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500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts | |
RM1200E_11 | MCC |
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500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts | |
RM1200E-T | MCC |
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Rectifier Diode, | |
RM1200E-TP | MCC |
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Rectifier Diode, 1 Element, 0.5A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-214AC, SMAE, 2 PIN | |
RM1200HE-66S | MITSUBISHI |
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HIGH VOLTAGE DIODE MODULE HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE | |
RM-1205D | RECOM |
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0.25 Watt SIP4 & DIP8 Single Output | |
RM-1205DHP | RECOM |
获取价格 |
0.25 Watt SIP4 & DIP8 Single Output |