5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.39.00.01 |
| 风险等级： | 5.92 | 放大器类型： | COMPARATOR |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.15 µA | 最大输入失调电压： | 4000 µV |
| JESD-30 代码： | R-GDIP-T14 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 19.43 mm | 湿度敏感等级： | 1 |
| 负供电电压上限： | -18 V | 标称负供电电压 (Vsup)： | -15 V |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 14 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 输出类型： | OPEN-DRAIN | 封装主体材料： | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码： | DIP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 标称响应时间： | 200 ns | 筛选级别： | MIL-PRF-38535 Class V |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 子类别： | Comparator |
| 供电电压上限： | 18 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 15 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | BIPOLAR |
| 温度等级： | MILITARY | 端子面层： | Tin/Lead (Sn63Pb37) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 7.62 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RM115N65T2 | RECTRON |
获取价格 |
Vdss (V) : 65 V;Id @ 25C (A) : 115 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 3.9 mOhms;Total Gate Charge (n |
|
| RM11A | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diodes |
|
| RM11A | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
PLASTIC SILICON RECTIFIER |
|
| RM11A | EIC |
获取价格 |
SILICON RECTIFIER DIODES |
|
| RM11A_05 | EIC |
获取价格 |
SILICON RECTIFIER DIODES |
|
| RM11AV | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon, |
|
| RM11AV3 | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon, |
|
| RM11AV4 | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon, |
|
| RM11AVO | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon, |
|
| RM11AW | SANKEN |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon, |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
