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RM11CWK

更新时间： 2024-11-06 12:59:47
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 23K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,

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RM11CWK 技术参数

生命周期：Not Recommended包装说明：O-PALF-W2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.64
Is Samacsys：N应用：GENERAL PURPOSE
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-PALF-W2最大非重复峰值正向电流：100 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C最大输出电流：1.2 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

RM11CWK 数据手册

  
Rectifier Diodes  
Electrical Characteristics (Ta =25°C)  
Absolute Maximum Ratings  
Others  
Mass  
Parameter  
IFSM  
(A)  
Tj  
Tstg  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
IR  
(H)  
(µA)  
Rth (j-  
)
(°C)  
(°C)  
VRM  
(V)  
IF (AV)  
(A)  
Fig.  
A
50Hz  
Half-cycle Sinewave  
Single Shot  
Type No.  
VR =VRM  
max  
VR =VRM  
IF  
(A)  
max  
0.92  
(g)  
(°C/ W)  
Ta  
=
100°C max  
400  
600  
800  
200  
400  
600  
800  
1000  
600  
800  
1000  
EM 2  
1.2  
80  
1.2  
1.0  
1.5  
10  
5
50  
17  
0.3  
EM 2A  
EM 2B  
RM 1Z  
RM 1  
RM 1A  
RM 1B  
RM 1C  
RM 11A  
RM 11B  
RM 11C  
1.0  
0.8  
1.2  
50  
40  
0.95  
1.2  
–40 to +150  
50  
50  
15  
0.4  
B
100  
0.92  
10  
EM 2 series  
Ta —IF (AV) Derating  
VF—IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
1.5  
80  
50  
L=10 mm  
L=10 mm  
10  
1
1.2  
0.9  
0.6  
0.3  
0
Solder  
10mm  
Copper Foil  
P.C.B  
60  
40  
20  
0
180 • 100 • 1.6 t  
0.1  
=
T
a
150°C  
100°C  
60°C  
0.01  
25°C  
0.001  
0.3  
0.5  
0.7  
0.9  
1.1  
1.3  
1.5  
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
1
1
1
5
10  
50  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
RM 1 series  
Ta —IF (AV) Derating  
VF—IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
1.0  
5.0  
50  
40  
30  
RM1Z  
RM1  
RM1A  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
1.0  
0.5  
RM 1Z  
RM 1  
RM 1A  
RM1B  
RM1C  
=
20  
10  
T
a
130°C  
100°C  
25°C  
RM 1B  
RM 1C  
0.1  
0.05  
0.5  
0
0.6  
0.7  
0.8  
0.9  
1.0  
1.1  
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
5
10  
50  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
RM 11 series  
Ta —IF (AV) Derating  
VF—IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
100  
80  
60  
40  
20  
0
1.5  
30  
10  
1.2  
0.9  
0.6  
0.3  
0
1
0.1  
=
T
a
150°C  
100°C  
60°C  
0.01  
25°C  
0.001  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
5
10  
50  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
External Dimensions Fig.  
A
Fig.  
B
(Unit: mm)  
0.78±0.05  
0.78±0.05  
Flammability:  
UL94V-0 or Equivalent  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
2.7±0.2  
4.0±0.2  
14  
1

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与RM11CWK相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM11CWS SANKEN

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
RM11N800T1 RECTRON

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 		N-Channel Super Junction Power MOSFET
RM11N800T2 RECTRON

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 		N-Channel Super Junction Power MOSFET
RM11N800TI RECTRON

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 		Vdss (V) : 800 V;Id @ 25C (A) : 11.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 420 mOhms;Total Gate Charge
RM12 MCC

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 		500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts
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