5秒后页面跳转
RM11AW PDF预览

RM11AW

更新时间: 2024-11-04 13:12:59
品牌 Logo 应用领域
三垦 - SANKEN 整流二极管
页数 文件大小 规格书
1页 23K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,

RM11AW 技术参数

生命周期:Not Recommended包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.64
应用:GENERAL PURPOSE外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流:100 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:1.2 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

RM11AW 数据手册

  
Rectifier Diodes  
Electrical Characteristics (Ta =25°C)  
Absolute Maximum Ratings  
Others  
Mass  
Parameter  
IFSM  
(A)  
Tj  
Tstg  
VF  
(V)  
IR  
(µA)  
IR  
(H)  
(µA)  
Rth (j-  
)
(°C)  
(°C)  
VRM  
(V)  
IF (AV)  
(A)  
Fig.  
A
50Hz  
Half-cycle Sinewave  
Single Shot  
Type No.  
VR =VRM  
max  
VR =VRM  
IF  
(A)  
max  
0.92  
(g)  
(°C/ W)  
Ta  
=
100°C max  
400  
600  
800  
200  
400  
600  
800  
1000  
600  
800  
1000  
EM 2  
1.2  
80  
1.2  
1.0  
1.5  
10  
5
50  
17  
0.3  
EM 2A  
EM 2B  
RM 1Z  
RM 1  
RM 1A  
RM 1B  
RM 1C  
RM 11A  
RM 11B  
RM 11C  
1.0  
0.8  
1.2  
50  
40  
0.95  
1.2  
–40 to +150  
50  
50  
15  
0.4  
B
100  
0.92  
10  
EM 2 series  
Ta —IF (AV) Derating  
VF—IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
1.5  
80  
50  
L=10 mm  
L=10 mm  
10  
1
1.2  
0.9  
0.6  
0.3  
0
Solder  
10mm  
Copper Foil  
P.C.B  
60  
40  
20  
0
180 • 100 • 1.6 t  
0.1  
=
T
a
150°C  
100°C  
60°C  
0.01  
25°C  
0.001  
0.3  
0.5  
0.7  
0.9  
1.1  
1.3  
1.5  
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
1
1
1
5
10  
50  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
RM 1 series  
Ta —IF (AV) Derating  
VF—IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
1.0  
5.0  
50  
40  
30  
RM1Z  
RM1  
RM1A  
0.8  
0.6  
0.4  
0.2  
0
1.0  
0.5  
RM 1Z  
RM 1  
RM 1A  
RM1B  
RM1C  
=
20  
10  
T
a
130°C  
100°C  
25°C  
RM 1B  
RM 1C  
0.1  
0.05  
0.5  
0
0.6  
0.7  
0.8  
0.9  
1.0  
1.1  
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
5
10  
50  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
RM 11 series  
Ta —IF (AV) Derating  
VF—IF Characteristics (Typical)  
IFMS Rating  
100  
80  
60  
40  
20  
0
1.5  
30  
10  
1.2  
0.9  
0.6  
0.3  
0
1
0.1  
=
T
a
150°C  
100°C  
60°C  
0.01  
25°C  
0.001  
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
0
25  
50  
75  
100  
125 150  
5
10  
50  
Ambient Temperature Ta (°C)  
Forward Voltage VF (V)  
Overcurrent Cycles  
External Dimensions Fig.  
A
Fig.  
B
(Unit: mm)  
0.78±0.05  
0.78±0.05  
Flammability:  
UL94V-0 or Equivalent  
Cathode Mark  
Cathode Mark  
2.7±0.2  
4.0±0.2  
14  

与RM11AW相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RM11AWK SANKEN

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
RM11AWS SANKEN

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
RM11B SANKEN

获取价格

Rectifier Diodes
RM11B EIC

获取价格

SILICON RECTIFIER DIODES
RM11B BL Galaxy Electrical

获取价格

PLASTIC SILICON RECTIFIER
RM11BV SANKEN

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
RM11BV1 SANKEN

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
RM11BV4 SANKEN

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
RM11BW SANKEN

获取价格

暂无描述
RM11BWK SANKEN

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,