RM11C

更新时间： 2024-11-04 22:43:55

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EIC		整流二极管
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2页	42K
描述
SILICON RECTIFIER DIODES

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RM11C 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.92 V	最大非重复峰值正向电流：	100 A
元件数量：	1	最高工作温度：	140 °C
最大输出电流：	1.2 A	最大重复峰值反向电压：	1000 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

RM11C 数据手册

SILICON RECTIFIER DIODES

RM11A - RM11C

PRV : 600 - 1000 Volts

Io : 1.2 Amperes

FEATURES :

1.00 (25.4)

0.161 (4.10)

MIN.

* High current capability

* High surge current capability

* High reliability

0.154 (3.90)

0.284 (7.20)

0.268 (6.84)

* Low reverse current

* Low forward voltage drop

1.00 (25.4)

0.034 (0.86)

MIN.

MECHANICAL DATA :

* Case : D2 Molded plastic

0.028 (0.71)

* Epoxy : UL94V-O rate flame retardant

* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,

Method 208 guaranteed

Dimensions in inches and ( millimeters )

* Polarity : Color band denotes cathode end

* Mounting position : Any

* Weight : 0.465 gram

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Rating at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%.

RATING

SYMBOL

VRRM

RM11A

600

RM11B

800

RM11C

1000

UNITS

Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage

Maximum RMS Voltage

VRMS

420

560

700

Maximum DC Blocking Voltage

VDC

600

800

1000

Maximum Average Forward Current

0.375"(9.5mm) Lead Length Ta = 70 °C

Peak Forward Surge Current

1.2

IFSM

100

8.3ms Single half sine wave Superimposed

on rated load (JEDEC Method)

Maximum Forward Voltage at IF = 1.5 Amps.

0.92

Maximum DC Reverse Current

at rated DC Blocking Voltage

Typical Junction Capacitance (Note1)

Typical Thermal Resistance (Note2)

Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

Ta = 25 °C

IR(H)

Ta = 100 °C

°C/W

°C

RqJA

- 65 to + 175

TSTG

°C

Notes :

(1) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V_DC

(2) Thermal resistance from Junction to Ambient at 0.375" (9.5mm) Lead Lengths, P.C. Board Mounted.

Page 1 of 2

Rev. 01 : Mar 23, 2002

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RM11CV	SANKEN	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
RM11CV1	SANKEN	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
RM11CW	SANKEN	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
RM11CWK	SANKEN	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
RM11CWS	SANKEN	获取价格	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.2A, Silicon,
RM11N800T1	RECTRON	获取价格	N-Channel Super Junction Power MOSFET
RM11N800T2	RECTRON	获取价格	N-Channel Super Junction Power MOSFET
RM11N800TI	RECTRON	获取价格	Vdss (V) : 800 V;Id @ 25C (A) : 11.0 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 420 mOhms;Total Gate Charge
RM12	MCC	获取价格	500 Milliamp High Voltage Silicon Rectifier 1200 to 2000 Volts
RM-12	DBLECTRO	获取价格	SURFACE MOUNTING TYPE DIP SWITCH

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