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RJK0352DSP-00-J0

更新时间： 2024-11-11 06:07:59
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瑞萨 - RENESAS 开关电源开关
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4页 81K
描述
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

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RJK0352DSP-00-J0 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：18 A
最大漏极电流 (ID)：18 A最大漏源导通电阻：0.007 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：144 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：20
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RJK0352DSP-00-J0 数据手册

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RJK0352DSP  
Silicon N Channel Power MOS FET  
Power Switching  
REJ03G1660-0501  
Rev.5.01  
Apr 24, 2008  
Features  
•
•
•
•
Capable of 4.5 V gate drive  
Low drive current  
High density mounting  
Low on-resistance  
RDS(on) = 4.3 mΩ typ. (at VGS = 10 V)  
Pb-free  
•
Outline  
RENESAS Package code: PRSP0008DD-D  
(Package name: SOP-8<FP-8DAV>)  
5 6 7 8  
D D  
D D  
5
6
7
8
1, 2, 3  
4
Source  
Gate  
4
4
G
3
2
1
5, 6, 7, 8 Drain  
S S S  
1
2 3  
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Drain to source voltage  
Gate to source voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
Unit  
30  
±20  
V
V
Drain current  
18  
A
Note1  
Drain peak current  
ID(pulse)  
IDR  
144  
A
Body-drain diode reverse drain current  
Avalanche current  
18  
A
Note 2  
IAP  
17  
A
Note 2  
Avalanche energy  
EAR  
28.9  
2.0  
mJ  
W
Channel dissipation  
Pch Note3  
θch-a Note3  
Tch  
Channel to ambient thermal impedance  
Channel temperature  
62.5  
150  
°C/W  
°C  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
°C  
Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%  
2. Value at Tch = 25°C, Rg ≥ 50 Ω  
3. When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm), PW ≤ 10s  
REJ03G1660-0501 Rev.5.01 Apr 24, 2008  
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