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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.3 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 12 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 12 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0168 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.8 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 96 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RJK0355DSP-01#J0 | RENESAS |
获取价格 |
Nch Single Power Mosfet 30V 12A 11.1Mohm Sop8, SOP, /Embossed Tape |
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| RJK0355DSP-WS#J0 | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor |
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| RJK0358DPA | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0358DPA_10 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0358DPA_13 | RENESAS |
获取价格 |
N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| RJK0358DPA-00-J0 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0358DPA-01-J0B | RENESAS |
获取价格 |
N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| RJK0358DSP | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0358DSP-00-J0 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0362DSP | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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