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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | LEAD FREE, WPAK-8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.8 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A | 最大漏极电流 (ID)： | 30 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0134 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-XDSO-N5 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RJK0365DPA-02 | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0365DPA-02#J0B | RENESAS |
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RJK0365DPA-02#J0B |
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| RJK0365DPA-02_13 | RENESAS |
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N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| RJK0365DPA-02-J0 | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0365DPA-02-J0B | RENESAS |
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N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| RJK0366DPA | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0366DPA-00-J0 | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0366DPA-02 | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0366DPA-02_13 | RENESAS |
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N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| RJK0366DPA-02-J0 | RENESAS |
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Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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