5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> RJK0371DSP-00-J0
RJK0371DSP-00-J0 PDF预览

RJK0371DSP-00-J0

更新时间： 2024-11-11 06:07:59
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲电源开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 81K
描述
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

阅读下载

中文翻译

获取价格

RJK0371DSP-00-J0 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.84
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 A
最大漏极电流 (ID)：8 A最大漏源导通电阻：0.027 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.8 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：20
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

RJK0371DSP-00-J0 数据手册

 浏览型号RJK0371DSP-00-J0的Datasheet PDF文件第2页浏览型号RJK0371DSP-00-J0的Datasheet PDF文件第3页浏览型号RJK0371DSP-00-J0的Datasheet PDF文件第4页 
RJK0371DSP  
Silicon N Channel Power MOS FET  
Power Switching  
REJ03G1663-0201  
Rev.2.01  
Apr 24, 2008  
Features  
•
•
•
•
Capable of 4.5 V gate drive  
Low drive current  
High density mounting  
Low on-resistance  
RDS(on) = 14 mΩ typ. (at VGS = 10 V)  
Pb-free  
•
Outline  
RENESAS Package code: PRSP0008DD-D  
(Package name: SOP-8<FP-8DAV>)  
5 6 7 8  
D D  
D D  
5
6
7
8
1, 2, 3  
4
Source  
Gate  
4
4
G
3
2
1
5, 6, 7, 8 Drain  
S S S  
1
2 3  
Absolute Maximum Ratings  
(Ta = 25°C)  
Item  
Drain to source voltage  
Gate to source voltage  
Symbol  
VDSS  
VGSS  
ID  
Ratings  
Unit  
30  
V
V
±20  
Drain current  
8
A
Note1  
Drain peak current  
ID(pulse)  
IDR  
64  
A
Body-drain diode reverse drain current  
Avalanche current  
8
A
Note 2  
IAP  
7
4.9  
A
Note 2  
Avalanche energy  
EAR  
mJ  
W
Channel dissipation  
Pch Note3  
θch-a Note3  
Tch  
1.8  
Channel to ambient thermal impedance  
Channel temperature  
69.4  
°C/W  
°C  
150  
Storage temperature  
Tstg  
–55 to +150  
°C  
Notes: 1. PW ≤ 10 µs, duty cycle ≤ 1%  
2. Value at Tch = 25°C, Rg ≥ 50 Ω  
3. When using the glass epoxy board (FR4 40 x 40 x 1.6 mm), PW ≤ 10s  
REJ03G1663-0201 Rev.2.01 Apr 24, 2008  
Page 1 of 3  
1234

中文翻译

下载PDF

与RJK0371DSP-00-J0相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RJK0379DPA RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching
RJK0379DPA_10 RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching
RJK0379DPA_13 RENESAS

获取价格

 		Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
RJK0379DPA-00-J53 RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching
RJK0379DPA-00-J5A RENESAS

获取价格

 		Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
RJK0380DPA RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching
RJK0380DPA_10 RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching
RJK0380DPA_13 RENESAS

获取价格

 		Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
RJK0380DPA-00-J53 RENESAS

获取价格

 		Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode Power Switching
RJK0380DPA-00-J5A RENESAS

获取价格

 		Built in SBD N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching

与RJK0371DSP-00-J0相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证