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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.7 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 30 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 30 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 30 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0165 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-N5 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 5 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 25 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 120 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RJK0355DSP | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0355DSP-00-J0 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0355DSP-01#J0 | RENESAS |
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Nch Single Power Mosfet 30V 12A 11.1Mohm Sop8, SOP, /Embossed Tape |
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| RJK0355DSP-WS#J0 | RENESAS |
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Power Field-Effect Transistor |
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| RJK0358DPA | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0358DPA_10 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0358DPA_13 | RENESAS |
获取价格 |
N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| RJK0358DPA-00-J0 | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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| RJK0358DPA-01-J0B | RENESAS |
获取价格 |
N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching |
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| RJK0358DSP | RENESAS |
获取价格 |
Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching |
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