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RFN6T2DNZ

更新时间: 2024-09-11 11:11:31
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罗姆 - ROHM 快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
7页 1296K
描述
RFN6T2DNZ是低VF的一般整流用快速恢复二极管。

RFN6T2DNZ 数据手册

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Super Fast Recovery Diode  
Datasheet  
RFN6T2DNZ  
Series  
Dimensions (Unit : mm)  
Structure  
Standard Fast Recovery  
0.3  
0.1  
4.5±  
0.3  
0.1  
10.0±  
0.2  
0.1  
߶3.2±0.2  
2.8±  
Applications  
General rectification  
(1)  
(2)  
Cathode  
(3)  
Anode  
Anode  
1.2  
Features  
1.3  
0.8  
2.6±0.5  
1) Cathode common dual type  
Low VF  
2)  
(1) (2) (3)  
0.1  
0.75± 0.05  
2.54±0.5 2.54±0.5  
3) Low switching loss  
ROHM : TO-220FN  
: Manufacture Date  
Construction  
Packing (Unit : mm)  
7
540  
Silicon epitaxial planar type  
Absolute Maximum Ratings (Ta= 25°C)  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Limits  
200  
200  
6
Unit  
VRM  
VR  
Io  
Duty0.5  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
V
V
Direct reverse voltage  
60Hz half sin wave, resistive load,  
1/2IO per diode  
Average current  
A
60Hz half sin wave,one cycle  
IFSM  
Tj  
Non-repetitive forward surge current  
Operating junction temperature  
Storage temperature  
40  
A
non-repetitive at Tj=25°C, per diode  
-
150  
°C  
Tstg  
-
55 to 150 °C  
Electrical Characteristics (Tj= 25°C, per diode)  
Parameter  
Forward voltage  
Conditions  
IF=3A  
Symbol  
VF  
Min. Typ. Max. Unit  
-
-
-
-
0.90 0.98  
V
VR=200V  
IR  
Reverse current  
-
12  
-
10  
25  
μA  
ns  
IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25×IR  
Junction to case  
Reverse recovery time  
Thermal resistance  
trr  
Rth(j-c)  
3.0 °C/W  
www.rohm.com  
© 2018 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2018.01 - Rev.A  
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