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RFNL10BM6SFH

更新时间: 2024-09-11 11:14:39
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 功率因数校正二极管
页数 文件大小 规格书
8页 1159K
描述
RFNL10BM6SFH是超低VF、低反向恢复损耗的硅外延平面型超快速反向恢复二极管。适合一般整流及PFC用途(电流临界模式)。

RFNL10BM6SFH 数据手册

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Super Fast Recovery Diode  
RFNL10BM6SFH  
Datasheet  
AEC-Q101 Qualified  
Series  
Dimensions (Unit : mm)  
Land Size Figure (Unit : mm)  
6.0  
Standard Fast Recovery  
Applications  
1.6  
1.6  
General rectification  
1
For PFC  
(DCM : Discontinuous Current Mode)  
2.3 2.3  
TO-252  
Cathode  
Structure  
Features  
1) Ultra low forward voltage  
ate  
Open  
Anode  
2) Low switching loss  
Taping Dimensions (Unit : mm)  
High current overload capacity  
3)  
Construction  
Silicon epitaxial planar type  
Absolute Maximum Ratings (at Tc= 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
Conditions  
Duty0.5  
Reverse direct voltage  
60Hz half sin waveform,  
resistive load, Tc=80°CMax  
60Hz half sin waveform,  
non-repetitive Tj=25°C  
Limits  
600  
600  
Symbol  
VRM  
Unit  
V
V
VR  
Io  
Average rectified foward current  
Peak forward surge current  
10  
A
IFSM  
100  
150  
A
Tj  
Tstg  
-
-
Junction temperature  
Storage temperature  
°C  
55 150 °C  
Electrical Characteristics (at Tj= 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Forward voltage  
Conditions  
Symbol  
VF  
Min. Typ. Max. Unit  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
0.85 1.05 1.25  
V
V
V
IF=8A  
-
0.9  
1.1  
0.95  
-
-
1.3  
-
0.9  
VF  
IR  
IF=10A  
Forward voltage  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
10  
200  
65  
µA  
µA  
ns  
VR=600V  
Reverse current  
-
45  
IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25×IR  
IF=10A, VR=400V, dIF/dt=-100A/µs  
Reverse recovery time  
trr  
100 150  
ns  
Forward recovery time  
Forward recovery voltage  
tfr  
VFp  
Rth(j-a)  
Rth(j-c)  
180  
3.3  
-
-
ns  
V
IF=10A, dIF/dt=100A/µs,  
VFR=1.1×VFmax  
Junction to ambient  
Junction to case  
°C / W  
-
-
12  
4.5  
Thermal resistance  
°C / W  
(1) Value is guaranteed by design  
2020/09/11_Rev.001  
1/5  

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