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RFNL10BGE6S

更新时间： 2024-11-28 11:16:11
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 超快速恢复二极管功率因数校正
页数 文件大小 规格书
8页 1409K
描述
RF501BGE2S是超低VF、低反向恢复损耗的硅外延平面型超快速恢复二极管。适合一般整流及PFC用途（电流临界模式）。

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RFNL10BGE6S 数据手册

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Super Fast Recovery Diode  
RFNL10BGE6S  
Datasheet  
Series  
Dimensions (Unit : mm)  
Land Size Figure (Unit : mm)  
6.0  
Standard Fast Recovery  
Applications  
1.6  
1.6  
General rectification  
For PFC  
(DCM : Discontinuous Current Mode)  
2.3 2.3  
TO-252  
Cathode  
Structure  
ROHM : TO-252GE  
JEITA : -  
Features  
1) Ultra low forward voltage  
Open  
Anode  
2) Low switching loss  
Taping Dimensions (Unit : mm)  
High current overload capacity  
3)  
Construction  
Silicon epitaxial planar type  
Absolute Maximum Ratings (at Tc= 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Reverse voltage  
Conditions  
Duty≦0.5  
Reverse direct voltage  
60Hz half sin waveform,  
resistive load, Tc=80°CMax  
60Hz half sin waveform,  
non-repetitive Tj=25°C  
Limits  
600  
600  
Symbol  
VRM  
Unit  
V
V
VR  
Io  
Average rectified foward current  
Peak forward surge current  
10  
A
IFSM  
100  
150  
A
Tj  
Tstg  
-
-
Junction temperature  
Storage temperature  
°C  
55 ～ 150 °C  
Electrical Characteristics (at Tj= 25°C unless otherwise specified)  
Parameter  
Forward voltage  
Conditions  
Symbol  
VF  
Min. Typ. Max. Unit  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
Tj=25°C  
Tj=125°C  
0.85 1.05 1.25  
V
V
V
IF=8A  
-
0.9  
1.1  
0.95  
-
-
1.3  
-
0.9  
VF  
IR  
IF=10A  
Forward voltage  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V
10  
200  
65  
A  
A  
ns  
VR=600V  
Reverse current  
-
45  
IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25×IR  
IF=10A, VR=400V, dIF/dt=-100A/s  
Reverse recovery time  
trr  
100 150  
ns  
Forward recovery time  
Forward recovery voltage  
tfr  
VFp  
Rth(j-a)  
Rth(j-c)  
180  
3.3  
-
-
ns  
V
IF=10A, dIF/dt=100A/s,  
VFR=1.1×VFmax  
Junction to ambient  
Junction to case  
°C / W  
-
-
12  
4.5  
Thermal resistance  
°C / W  
(1) Value is guaranteed by design  
www.rohm.com  
© 2020 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
2020/06/23_Rev.001  
1/5  
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与RFNL10BGE6S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RFNL10BM6SFH ROHM

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 		RFNL10BM6SFH是超低VF、低反向恢复损耗的硅外延平面型超快速反向恢复二极管。适合
RFNL10TJ6S ROHM

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 		RFNL10TJ6S是适用于PFC电路用途的超快速恢复二极管。
RFNL10TJ6SFHG (开发中) ROHM

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 		RFNL10TJ6SFHG是适用于一般整流用途或PFC电路用途的超快速恢复二极管。是符合A
RFNL15TJ6S ROHM

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 		RFNL15TJ6S是适用于PFC电路用途的超快速恢复二极管。
RFNL15TJ6SFHG (开发中) ROHM

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 		RFNL15TJ6SFHG是适用于一般整流用途或PFC电路用途的超快速恢复二极管。是符合A
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