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RFN10NS3S

更新时间： 2024-02-20 23:30:13

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罗姆 - ROHM		二极管超快速恢复二极管
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5页	1204K
描述
Super Fast Recovery Diode

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RFN10NS3S 数据手册

Data Sheet

Super Fast Recovery Diode

RFN10NS3S

lSeries

lDimensions (Unit : mm)

lLand size figure (Unit : mm)

Standard Fast Recovery

RFN10

NS3S

lApplications

General rectification

①

lFeatures

1)Low switching loss

2)High current overload capacity

3)Cathode common single type

lStructure

②

ROHM : LPDS

JEITA : TO263S

lConstruction

Manufacture Year, Week and Day

①

③

Silicon epitaxial planer

lTaping dimensions (Unit : mm)

lAbsolute maximum ratings (Tc=25C)

Parameter

Conditions

Duty≤0.5

Symbol

V_RM

V_R

Limits

350

Unit

Repetitive peak reverse voltage

Reverse voltage

Direct voltage

60Hz half sin wave resistive load

Average rectified forward current

Tc=88°C

60Hz half sin wave, Non-repetitive

one cycle peak value, Tj=25°C (*)

I_FSM

Forward current surge peak

100

Junction temperature

Storage temperature

(*) 1-3pin common circuit

150

C

Tstg

-55 to +150

lElectrical characteristics (Tj=25C)

Parameter

Forward voltage

Conditions

I_F=10A

Symbol

V_F

Min.

－

Typ.

1.25

0.05

Max.

1.5

Unit

V_R=350V

Reverse current

I_R

－

μA

I_F=0.5A,I_R=1A,Irr=0.25×I_R

junction to case

Reverse recovery time (*)

Thermal resistance

trr

－

Rth(j-c)

－

4.0

°C/W

(*) Design assurance without measurement.

www.rohm.com

2011.10 - Rev.A

1/4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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